Prime Wafer

Prime Wafer

Prime Wafers vormen de basis van moderne halfgeleiderproductie. Met strikte controle over vlakheid, deeltjesniveaus en weerstand bieden ze de precisie die nodig is voor chipfabricage. Deze wafels zorgen ervoor dat elke productiestap voorspelbaar en herhaalbaar is, ter ondersteuning van hoge opbrengst en consistente kwaliteit bij geavanceerde apparaatproductie.
Share to
Aanvraag sturen
Praat nu
Beschrijving
Technische Parameters

 

Producten introductie

 

 

Bare Wafer1

 

Materiële eigenschappen

 

 

 

Prime specificaties 6" 8" 12"
Groeimethode CZ CZ CZ
Diameter (mm) 150±0.5 200±0.5 300±0.5
Type/Dopant: P/boron of n/ph P/boron of n/ph P/boron of n/ph
Dikte (μm) 625±25/675±25 725±25 775±25
Weerstand 1–100Ω 1–100Ω 1–100Ω
TTV Minder dan of gelijk aan 10um Minder dan of gelijk aan 10um Minder dan of gelijk aan 10um
BOOG Minder dan of gelijk aan 40um Minder dan of gelijk aan 40um Minder dan of gelijk aan 40um
Kronkelen Minder dan of gelijk aan 40um Minder dan of gelijk aan 40um Minder dan of gelijk aan 40um
Deeltje Minder dan of gelijk aan 30EA@ groter dan of gelijk aan 0,2UM Minder dan of gelijk aan 30EA@ groter dan of gelijk aan 0,2UM Minder dan of gelijk aan 30EA@ groter dan of gelijk aan 0,2UM
Plat/inkeping Flats/inkeping Flats/inkeping Inkeping
Oppervlakte -afwerking Als - Cut/Lapp/geëtst/geëtst/ssp/dsp Als - Cut/Lapp/geëtst/geëtst/ssp/dsp Als - Cut/Lapp/geëtst/geëtst/ssp/dsp
Aangepaste specificaties beschikbaar

 

 

 

Bare Wafer 1

Prime -wafels worden vervaardigd om te voldoen aan de hoogste normen die nodig zijn voor de fabricage van het halfgeleiderapparaat. Met strengere bedieningselementen op TTV, boog, warp en deeltjesniveaus leveren deze wafels een superieure vlakheid en oppervlaktekwaliteit, waardoor ze ideaal zijn voor chipproductie en geavanceerde procesontwikkeling. Of het nu gaat om grote - Schaalproductie of Precision R&D, Prime Wafers bieden de consistentie die nodig is om toprendement en prestaties te bereiken.

 

 

 

 

Productfuncties

 

 

 

Beschikbare maten:6 ", 8" en 12 "

Groeimethode:CZ (Czochralski) proces

Diameter tolerantie:150 ± 0,5 mm, 200 ± 0,5 mm, 300 ± 0,5 mm

Doping -opties:P - type (boron) of n - type (fosforus)

Dikte:625–775 µm (afhankelijk van de wafersgrootte)

Weerstandsbereik: 1–100 Ω

TTV:Minder dan of gelijk aan 10 µm

BOOG:Minder dan of gelijk aan 40 µm

Warp:Minder dan of gelijk aan 40 µm

Deeltjesniveau:Minder dan of gelijk aan 30@ groter dan of gelijk aan 0,2 µm

Flat/Notch -opties:Flats of inkeping

Oppervlakteafwerking:Als - knippen, ingepakt, geëtst, ssp, dsp

Aanpasbaar:Op maat gemaakte specificaties beschikbaar

 

741efbc240e95d9ee517fb807b96b62a

 

 

 

 

 

Populaire tags: Prime Wafer, China, leveranciers, fabrikanten, fabriek, gemaakt in China

Aanvraag sturen
Aanvraag sturen