N Type Mono Bifacial HJT-zonnecel

N Type Mono Bifacial HJT-zonnecel

Silicium Heterojunction Technologie (HJT) is gebaseerd op een emitter- en achteroppervlakveld (BSF) dat wordt geproduceerd door groei bij lage temperatuur van ultra-dunne lagen amorf silicium (a-Si:H) aan beide zijden van zeer goed gereinigde monokristallijne siliciumwafels, minder dan 200 μm dik, waar elektronen en gaten door licht worden gegenereerd. Het celproces wordt voltooid door de afzetting van transparante geleidende oxiden die een uitstekende metallisatie. De metallisatie kan worden uitgevoerd door middel van een standaard zeefdruk die in de industrie op grote schaal wordt gebruikt voor de meeste cellen of met innovatieve technologieën.
Share to
Aanvraag sturen
Praat nu
Beschrijving
Technische Parameters

 

 

Producten Beschrijving

 

 

 

HJT-celkernstructuur

 

Silicium Heterojunction Technologie (HJT) is gebaseerd op een emitter- en achteroppervlakveld (BSF) dat wordt geproduceerd door de groei bij lage temperatuur van ultra-dunne lagen amorf silicium (a-Si:H) aan beide zijden van zeer goed gereinigde monokristallijne siliciumwafels, met een dikte van minder dan 200 μm, waar elektronen en gaten door licht worden gegenereerd.

product-1-1
HJT solar cell structure 400

HJT-celfabricageproces

 

Het celproces wordt voltooid door de afzetting van transparante geleidende oxiden die een uitstekende metallisatie mogelijk maken. De metallisatie kan worden uitgevoerd door middel van een standaard zeefdruk die in de industrie op grote schaal wordt gebruikt voor de meeste cellen of met innovatieve technologieën.

HJT-technologievoordelen

 

Siliciumzonnecellen met heterojunctietechnologie (HJT) hebben veel aandacht getrokken omdat ze een hoge conversie-efficiëntie kunnen bereiken, tot 25%, terwijl ze verwerking bij lage temperaturen gebruiken, doorgaans onder de 250 graden voor het volledige proces. De lage verwerkingstemperatuur maakt het hanteren van siliciumwafels van minder dan 100 μm dik mogelijk met behoud van een hoge opbrengst.

Profile2

 

 

 

 

               

Processtroom

 

 

 

                       

 

 

Process flow A black

 

 

Belangrijkste kenmerken

 

 

 

 

Hoge Eff en hoge Voc

Lage temperatuurcoëfficiënt 5-8% vermogenswinst

Bifaciale structuren

 

【Technische gegevens】

 

HJT solar cell Technical Data 1R
 

TECHNISCHE GEGEVENS EN ONTWERP TEMPERATUURCOEFFICIËNTEN EN SOLDEERBAARHEID
Dimensie 156,75 mm * 156,75 mm ± 0,25 TkUoc (%/K) -0.27
Dikte 190±30 µm TkIsc (%/K) +0.05
Voorkant 5 stroomrails TkPMAX (%/K) -0.336
Rug 5 stroomrails Schilsterkte minimaal >1,4N/mm

 

HJT solar cell Technical Data 2R

 

Nee. Efficiëntie (%) Pmpp (W) Uoc (V) Isc (A) FF (%)
1 23.50 5.74 0.743 9.6 80.53
2 23.40 5.72 0.741 9.592 80.43
3 23.30 5.70 0.74 9.585 80.33
4 23.20 5.67 0.738 9.577 80.24
5 23.10 5.65 0.737 9.57 80.14
6 23.0 5.63 0.735 9.562 80.04
7 22.90 5.60 0.733 9.554 79.94
8 22.80 5.58 0.732 9.547 79.84
9 22.70 5.55 0.73 9.539 79.75
10 22.60 5.53 0.729 9.532 79.65
11 22.50 5.51 0.727 9.524 79.55
12 22.40 5.48 0.725 9.516 79.45
13 22.30 5.46 0.724 9.509 79.36
14 22.20 5.44 0.722 9.501 79.26
15 22.10 5.41 0.721 9.494 79.16
16 22.00 5.39 0.719 9.486 79.06
17 21.90 5.37 0.717 9.479 78.97
18 21.80 5.35 0.716 9.471 78.87
19 21.70 5.32 0.714 9.463 78.77
20 21.60 5.30 0.712 9.456 78.67
21 21.50 5.28 0.711 9.448 78.57

 

 

Certificaat

 

 

4

 

 

1 1

  

 

 

Populaire tags: N Type Mono Bifacial HJT zonnecel, China, leveranciers, fabrikanten, fabriek, gemaakt in China

Aanvraag sturen
Aanvraag sturen