-
N Type Mono Bifacial HJT-zonnecelSilicium Heterojunction Technologie (HJT) is gebaseerd op een emitter- en achteroppervlakveld (BSF) dat wordt geproduceerd door groei bij lage temperatuur van ultra-dunne lagen amorf silicium
-
210RH-16BB monokristallijne bifaciale zonnecelLagere LIDSuperieure anti-PID-prestatiesLagere cel-naar-module-verliesratio (CTM), geschikter voor modules met hoog rendementRelatieve conversie-efficiëntie Groter dan of gelijk aan 92% bij weinig
-
N Type 210mm M12 HJT Zonnecel210mm M12 Silicon Heterojunction Technology (HJT) zonnecel is met 24,4% efficiëntie en een nominaal vermogen van 10,76Watt per cel.
-
N Type 166 mm M6 HJT zonnecelSilicon Heterojunction Technology (HJT) is gebaseerd op een emitter en back surface field (BSF) die worden geproduceerd door lage temperatuurgroei van ultradunne lagen amorf silicium (a-Si:H) aan
-
N Type 210 mm M12 bifaciale TOPCon-zonnecelTOPCON-technologie (tunneloxide gepassiveerd contact) verhoogt de efficiëntie van de N-zonnecel tot 25 procent. Industriële TOPCon-zonnecel van 210 mm heeft een maximale efficiëntie van 24,4 procent
-
N Type 182 mm M10 tweezijdige TOPCon-zonnecelTOPCON-technologie (tunneloxide gepassiveerd contact) verhoogt de efficiëntie van N-type zonnecellen tot 24,5%. Monokristallijn N-type 182 mm TOPCon-zonnecel heeft een nominaal vermogen van 8,08 Watt
-
N Type 166 mm M6 bifaciale TOPCon-zonnecelOpgewaardeerd van PERT-technologie, TOPCON-technologie (tunneloxide gepassiveerd contact) gecombineerd met AlOx/SiNx-passiveringslaag boost N-type 166 mm zonnecelefficiëntie tot 24,4%.
-
N Type Pseudo Vierkante Bifaciale PERT ZonnecelN-type Mono bifaciale PERT (passiveted emitter rear totally diffused) silicium zonnecellen bezit hoge en gestabiliseerde conversie-efficiëntie.De n type bifaciale PERT zonnecel kan met processtroom
-
N Type 158,75 mm bifaciale PERT-zonnecelN-type mono bifaciale PERT (gepassiveerde emitter achterzijde volledig diffuus) silicium zonnecellen hebben een hoge en gestabiliseerde conversie-efficiëntie. N-type silicium zonnecellen worden
-
N Type IBC-zonnecelIn de celstructuur met interdigitated back contact (IBC) bevinden de emitter en het contact zich beide aan de achterkant van de wafer, wat onafhankelijke optimalisatie van het vooroppervlak voor
-
N Type Mono Bifacial PERT-zonnecelN-type mono bifaciale PERT (gepassiveerde emitter achterzijde volledig diffuus) silicium zonnecellen hebben een hoge en gestabiliseerde conversie-efficiëntie. N-type silicium zonnecellen worden










