werktuiglijk
Grootte: 166mm × 166mm ± 0.25mm (diameter 223 ± 0.25mm)
Dikte (cel): 175 ± 20 μm
Patroonontwerp
12BB halfcellig ontwerp
Voorzijde(-):Siliciumoxide + blauwe siliciumnitride samengestelde antireflectiecoating (PID Free); De breedte van de busstang is 0,14±0,1 mm en de kop van de busstang is gevorkt; Het aantal vingers is 122;De voorkant van de zonnecel is ontworpen als een half vel.
Achterkant(+):Achterzijde bifaciale cel: Passiveted Emitter (AlOx en SiNx dual layer) achtercontact;de achterzijde bestaat uit 12 wortels achter compound busbar en 150 roots achter Al vingers: de achterste compound busbar is gedeeltelijk versmald; 6 sectie Ag-elektrode met een breedte van 2,1±0,3 mm was ingebed in de achterste Al-busstang; De breedte van de holle sectie in het Al-veld is 1,9±0,3 mm en de breedte van de blootgestelde Ag-elektrode is 1,5±0,3 mm; er is geen lasergroef onder de achterste elektrode.
9BB halfcellig ontwerp
Voorzijde(-):Siliciumoxide + blauwe siliciumnitride samengestelde antireflectiecoating (PID Free); De breedte van de busstang is 0,1±0,1 mm en de kop van de busstang is gevorkt; Het aantal vingers is 122;De voorkant van de zonnecel is ontworpen als een half vel.
Achterkant(+):Achterzijde bifaciale cel: Passiveted Emitter (AlOx en SiNx dual layer) achtercontact;de achterzijde bestaat uit 9 wortels achter compound bus bar en 138 wortels achter Al vingers: de achterste compound bus bar is gedeeltelijk versmald; 6 sectie Ag-elektrode met een breedte van 2,1±0,3 mm was ingebed in de achterste Al-busstang; De breedte van de holle sectie in het Al-veld is 1,9±0,3 mm en de breedte van de blootgestelde Ag-elektrode is 1,5±0,3 mm; er is geen lasergroef onder de achterste elektrode.
