Zwarte silicium oppervlak P type polykristallijne zonnewafel inclusief 166mm * 166mm

Blak Silicon Surface P Type Polycrystalline Solar Wafer Including 166mm*166mm

Black Silicon Surface P Type Polycrystalline Solar Wafer Including 166mm*166mm

Black Silicon Surface P Type Polycrystalline Solar Wafer Including 166mm166mm 01

Black Silicon Surface P Type Polycrystalline Solar Wafer Including 166mm*166mm

Zwarte silicium oppervlak P type polykristallijne zonnewafel inclusief 166mm * 166mm

product Introductie:

Metal Assisted Chemical etching (MACE) is een recent ontwikkelde anisotrope natte etsmethode die in staat is om halfgeleidernanostructuren met een hoge beeldverhouding te produceren uit metaalfolie met patronen.

Aanvraag sturen

Praat nu

Beschrijving

Technische Parameters

P type black silicon wafer 7

P type black silicon wafer in cascade 3

In een goed geaccepteerd model dat het MACE-proces beschrijft,oxidantheeft de voorkeur om te worden verminderd aan de oppervlakte vanmetalen katalysator, en gaten (h+) worden geïnjecteerd van metaalkatalysator naar Si of elektronen (e−) worden overgebracht van Si naar metaalkatalysator. Si onder metalen katalysator heeft de maximalegatconcentratie, daarom is deoxidatieen de ontbinding van Si komt bij voorkeur onder metaalkatalysator voor.

De efficiëntie van de omzetting van zonne-energie blijkt te worden verhoogd wanneer SiNWs methoge beeldverhoudingworden gebruikt in het oppervlak van slar lichtstraling.

1 Oppervlakteconditie

parameter	proces	Reflectie
Voorzijde
Oppervlakteconditie	metaal Geassisteerde Chemische Ets	laag
Achterkant
Oppervlakteconditie	Gepolijst of getextureerd	Hoog of laag

2 Materiaaleigenschappen

eigenschap	specificatie	Inspectiemethode
Groeimethode	directionele stolling	XRD
Kristalliniteit	polykristallijn	Preferentiële etstechnieken（ASTM F47-88）
Geleidbaarheidstype	P-type	Napson EC-80TPN P/N
Dopant	boor	-
Zuurstofconcentratie[Oi]	≦1E+17 bij/cm³	FTIR (ASTM F121-83)
Koolstofconcentratie[Cs]	≦1E+18 bij/cm³	FTIR (ASTM F123-91)

3 Elektrische eigenschappen

eigenschap	specificatie	Inspectiemethode
Weerstand	0.5-2 Ωcm (Na gloeien)	Wafer inspectiesysteem
MCLT (levensduur minderheidsdrager)	≧2 μs	Sinton QSSPC

4 meetkunde

eigenschap	specificatie	Inspectiemethode
meetkunde	Vierkant of Rechthoek	Wafer inspectiesysteem
Vorm van schuine rand	lijn	Wafer inspectiesysteem
Wafer grootte (Zijlengte*zijlengte)	156mm* 156mm 157mm* 186mm 166mm* 166mm	Wafer inspectiesysteem
Hoek tussen aangrenzende zijden	90±3°	Wafer inspectiesysteem

Populaire tags: zwarte silicium oppervlak p type polykristallijne zonnewafel met inbegrip van 166mm * 166mm, China, leveranciers, fabrikanten, fabriek, gemaakt in China