P Type M4 Monokristallijne Zonnewafel

Groeimethode

Cz

Kristalliniteit

Monokristallijn

Preferentiële etstechnieken（ASTM F47-88）

Geleidbaarheidstype

P-type

Napson EC-80TPN

P/N

Dopant

Boor, Gallium

-

Zuurstofconcentratie[Oi]

≦8E+17 bij/cm³

FTIR (ASTM F121-83)

Koolstofconcentratie[Cs]

≦5E+16 bij/cm³

FTIR (ASTM F123-91)

Etsputdichtheid (dislocatiedichtheid)

≦500 cm^-3

Preferentiële etstechnieken（ASTM F47-88）

Oppervlakteoriëntatie

<100>±3°

Röntgendiffractiemethode (ASTM F26-1987)

Oriëntatie van pseudo vierkante zijden

<010>,<001>±3°

Röntgendiffractiemethode (ASTM F26-1987)

Weerstand

0,5-1,5 Ωcm

Wafer inspectiesysteem

MCLT (levensduur minderheidsdrager)

≧50 μs

Sinton BCT-400

(met injectieniveau: 1E15 centimeter^-3)

meetkunde

Quasi vierkant

Wafer Zijlengte

161,7±0,25 mm

wafer inspectiesysteem

Wafer Diameter

φ221±0,25 mm

wafer inspectiesysteem

Hoek tussen aangrenzende zijden

90° ± 0,2°

wafer inspectiesysteem

dikte

180﹢20/﹣10 μm;

170﹢20/﹣10 μm

TTV (Totale diktevariatie)

≤27 μm

wafer inspectiesysteem

Snijmethode

Dw

--

Oppervlaktekwaliteit

zoals gesneden en gereinigd, geen zichtbare verontreiniging(olie of vet, vingerafdrukken, zeepvlekken, drijfmestvlekken, epoxy/lijmvlekken zijn niet toegestaan)

wafer inspectiesysteem

Zaagmarkeringen / stappen

≤ 15μm

wafer inspectiesysteem

boog

≤ 40 μm

wafer inspectiesysteem

schering

≤ 40 μm

wafer inspectiesysteem

bikken

diepte ≤0,3 mm en lengte ≤ 0,5 mm Max 2 / stuks;   geen V-chip

Inspectiesysteem voor blote ogen of wafers

Micro scheuren / gaten

Niet toegestaan

wafer inspectiesysteem